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瑞禧類球形CdTe@SiO2@BCP香豆素量子點CND/SiQDs修飾二氧化硅
今天小編分享分散性良好的量子點修飾二氧化硅,一起看看吧:
以MPA為穩定劑,在加入MPA攪拌5 min后,將鎘前驅體溶液的pH值調節至10,迅速加人新制NaHTe溶液,加熱至100 ℃.10 min后,加人400 uL TEOS,氮氣保護下回流8h,得到酒紅色溶液,用無水乙醇純化離心,置于恒溫箱中干燥保存。之后,80 uL APTES 和100 uLTEOS被加到反應容器,暗室中攪拌反應12 h.
向合成的CdTe@Si02QDs的反應容器中,加入2mg新合成的1,9一雙(7-香豆素氧基)-3,7-二硫雜壬烷,攪拌反應8 h.加40 mL丙酮使產物沉淀,5000 rpm下離心15min,先后用乙醇和水清洗三次,35℃下真空干燥,得到CdTe@Si02@BCP產品。
用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察量子點的形貌,結果如圖所示。從圖中可以看出, CdTe@ Si02@BCP的形貌呈類球形,粒徑分布較均勻;結構致密,分散性好。
量子點又可稱為半導體納米晶體,目前報道的主要是由Ⅱ-V族(如 MgS、CdSe.ZnTe、HgSe)和Ⅲ-V族(如 GaAs、InGaAs、InP、InAs)元素組成的均一或核/殼結構(如CdS/HgS/CdS)納米顆粒。由于光譜禁阻的影響,當這些半導體納米晶體的直徑小于其玻爾直徑(一般小于10nm)時,就會表現出其獨有的理化和光譜性質。
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